(3)射频等离子体CVD(RFCVD) 射频可以由两种不同方式产生等离子体，即电容耦合法和电感耦合法。射频等离子体 CVD使用的频率为 13.56MHz。射频等离子体的优点在于，它弥散的区域远大于微波等离子体。但是，射频电容耦合等离子体的局限性是，等离子体的频率对于溅射而言不是最佳频率，尤其是等离子体包含氩时。由于来自等离子体的离子轰击会导致对金刚石的严重损伤，因此电容耦合等离子体不适合于生长高质量的金刚石薄膜。利用射频感应等离子体，人们已经生长出多晶金刚石薄膜，其沉积条件与微波等离子体 CVD 相似。利用射频感应等离子体增强 CVD，人们还获得了同质外延金刚石薄膜。

(1)热丝化学气相沉积(HFCVD) 热丝 CVD技术是在低压下生长金刚石的最早方法，而且也是最大众化的方法。1982年Matsumoto 等人将难熔金属丝加热到 2000℃以上，在此温度下，通过灯丝的 H2气体很容易产氢原子。在碳氢热解过程中，原子氢的产生增加了金刚石薄膜的沉积速率。金刚石被选择沉积而石墨的形成则被抑制，使金刚石薄膜的沉积速率达到 mm/h的量级，而这一沉积速率对于工业上普遍采用的方法。HFCVD 可以使用各种碳源，如甲烷、丙烷、乙炔和其他碳氢化合物，甚至些含有氧的碳氢化物，如丙酮、乙醇和甲醇等。含氧基团的加人使金刚石的沉积温度范围大大变宽。

CVD技术具有如下一些特点；①设备的工艺操作较简单、灵活性较强，能制备出配比各异的单一或复合膜层和合金膜层;②CVD法的适用性较广泛，可制备各种金属或金属膜涂层;③因沉积速率可高达每分钟几微米到数百微米，因此生产效率高;④与PVD法相比较绕射性好，非常适宜涂覆形状复杂的基体，如槽沟、涂孔甚至盲孔结构均可镀制成膜;⑤涂层致密性好，由于成膜过程温度较高，膜基界面上的附着力很强，故膜层十分牢固;⑥承受放射线辐射后的损伤较低，能与MOS集成电路工艺相融合。CVD技术的不足，一是沉积温度高，可达800~1100℃。在这样高的温度下工件易于变形，特别是对于那些不耐高温变化的高精度尺寸的工件，其用途会受到一定的限制;二是由于参与沉积的反应物质及反应后的气体大都具有易燃、易爆、有毒或是有一定腐蚀性，因此必须采取一定的防护措施。

真空离子镀膜(简称离子镀)是1963年美国Somdia公司的D.M.Mattox提出的20世纪70年代得到快速发展的一种全新表面处理技术。它是指在真空气氛中利用蒸发源或溅射靶使膜材蒸发或溅射，蒸发或溅射出来的一部分粒子在气体放电空间中电离成金属离子，这些粒子在电场的作用下沉积到基体上生成薄膜的一种过程。 目前，真空离子镀膜的种类很多[1]，通常根据膜材产生的离子来源将其分为两种类型:蒸发源型离子镀和溅射靶型离子镀。前者是通过膜材加热蒸发而产生金属蒸气，使其在气体放电等离子的空间中部分电离成金属蒸气和高能中性原子，通过电场的作用到达基体上生成薄膜;后者则是利用高能离子(如 Ar+)对膜材表面进行轰击使其溅射出来的粒子通过气体放电的空间电离成离子或高能中性原子，达到基体表面上而生成薄膜。各种离子镀的类型如图所示。